AMD 45nm工藝制程的特點(diǎn)：  

    與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手大力宣傳的High-K+金屬柵結(jié)構(gòu)的45nm制程工藝不同，AMD方面在工藝演進(jìn)中所選擇的，是來自IBM工藝陣營(yíng)的解決方案。在45nm這一關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)上，AMD方面并沒有采用競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的方案，而是啟用了包括浸潤(rùn)蝕刻（Immersion lithography）在超低K電介質(zhì)互聯(lián)（Ultra low-K）內(nèi)的幾項(xiàng)前沿技術(shù)，同樣實(shí)現(xiàn)了相當(dāng)優(yōu)異的效果，甚至在部分環(huán)節(jié)，諸如核心頻率極限及核心耐壓值等方面保持著一定的優(yōu)勢(shì)。

    浸潤(rùn)蝕刻（Immersion lithography）技術(shù)是目前半導(dǎo)體界普遍看好的新技術(shù)之一，AMD方面率先將其導(dǎo)入了X86處理器生產(chǎn)線。通過浸潤(rùn)蝕刻（Immersion lithography）的應(yīng)用，芯片的蝕刻過程可以得到更優(yōu)的折射效果，更小更精密的的晶圓幾何體結(jié)構(gòu)，并且在晶體管性能上可以獲得額外的提升。

    超低K電介質(zhì)互聯(lián)（Ultra low-K）是由IBM陣營(yíng)引領(lǐng)的另一項(xiàng)前沿技術(shù)，通過超低K電介質(zhì)互聯(lián)（Ultra low-K）的應(yīng)用，能夠降低互聯(lián)電容、寫入延遲和能量消耗，從而明顯提高性能功耗比（每瓦特性能）。它可以降低金屬層間的電容量與導(dǎo)線延遲，對(duì)于進(jìn)一步提升處理器效能與減少能源耗損是非常重要的步驟。在保證互聯(lián)電介質(zhì)機(jī)械強(qiáng)度的同時(shí)，超低k電介質(zhì)技術(shù)能減小其介電常數(shù)。與目前的low-k電介質(zhì)相 比，Ultra-low-k 電介質(zhì)能降低15％左右的寫入延遲。

    此外，配合新技術(shù)的使用，AMD處理器所使用SOI制造工藝也展現(xiàn)出良好的耐壓特性，在超頻狀態(tài)下，AMD 45nm處理器普遍可以承受1.5V以上的電壓沖擊4GHz以上  的極限頻率。
    本周，由AMD特別提供的極品特供處理器Phenom II 42 TWKR在開啟四顆核心的情況下，成功沖擊了7GHz大關(guān)，創(chuàng)造了4核心處理器的最新世界記錄（默認(rèn)頻率：2.0GHz，超頻幅度達(dá)到250%）。